员工实习工作总结写法怎么样？(22)

三、存在问题与解决思路
目前cwo项目组可以生长出完好、通透的晶体，但是与其他研究者类似，遇到致命的难题——晶体着色严重。晶体着色导致晶体光自吸收严重，光输出难以达到要求。另外，晶体还存在（010）面严重解理的缺点，导致晶体生长，特别是晶体加工过程产生掉片、开裂等现象。
1）着色机理
据相关文献及经验总结，一般认为由于高温熔融状态下，cwo发生分解，cdo与wo3均易挥发，且cdo挥发速率更快，导致原料组分严重发生偏析，使得晶体产生大量的cd、w、o空位、各种包裹体等缺陷及wo3、wo42-等色心，导致晶体着色。同时原料的纯度也是一个不可忽视的决定性因素。此外，个人认为晶体着色还有一个重要的原因是晶体生长本身产生的缺陷，因为可能籽晶定向不准确、生长工艺缺陷等因素造成晶体生长中产生大量的晶格扭曲及杂乱晶畴的出现，会导致晶体着色失透。至于哪种原因占主导，还需要借助精密的科研仪器进行系统性研究（可实现）。
2）分析与解决思路
①钨酸镉分解挥发
由于没有确定钨酸镉分解温度，难于可靠的判定cwo原料高温下是以分子形式还是以分解的氧化物形式挥发为主，也不利于工艺的改进，故可以做热重差热测试，分析其分解温度，再想办法从设备与工艺上解决。
②确定缺陷种类
晶体着色归根结底是由于晶体存在大量的缺陷产生的，那么探索晶体中存在的是何种缺陷，更确切的说是晶体中到底是以什么缺陷为主，对寻找改善晶体着色方法有根本的指导作用。故研究晶体中空位、杂质等缺陷以及生长产生的结构缺陷等具有重要的意义，这些应该是可以通过科学仪器进行测试分析的。如果存在大量的晶体生长缺陷，那么反复的掺杂也只能是事倍功半，我们必须得从生长工艺与方法上下功夫。
③掺杂
对于目前认为的主要以cd空位及wo3色心等引起的缺陷主要采用掺杂的方式加以解决。我们从掺杂机理及杂质离子的消色机制去分析并选择掺杂的离子。文献报道，由于nb和tb的离子半径和w接近，可以占据w挥发产生的w空位，同时可以在一定程度上提高光输出；另外，nb5+具有高温变价释放氧从而补氧空位的作用；过量的cd源可以抑制或弥补cd空位的产生等。结果表明cd、nb、tb的掺杂（单掺与共掺）起到了一定的作用，但是由于掺杂、生长工艺等还不成熟，其效果还不是很明显，需要做进一步的探索工作。共3页，当前第2页123新员工实习总结
稀土元素的掺杂，这里主要指gd3+离子的掺杂。据报道gd3+离子的去色效果非常好，但是掺杂浓度一般不超过0.1%，否则会变成淡蓝色。这主要可能有两个原因，一个是gd3+离子本身有发淡蓝光成分，另一个更主要的原因是gd3+离子的敏化作用，起到了能量传递的作用，使得吸收波长蓝移，从而使吸收光谱的吸收限向高能端移动，提高晶体发光效率。