Cds分流最厉害的阶段是在放大区 。为啥？ 因为这个阶段Vd变化最剧烈 。平台恰恰是在这个阶段形成 。你可认为：门电流Igate完全被Cds吸走，而没有电流流向Cgs 。
当Cgd通过mos放电结束后(即在平台区Cgd先放电然后Vgs给它充电)，MOS 进入了饱和阶段，Vd变化缓慢 。虽然Vgs 的增长也能够让部分电流流想Cds，但主要的门电流是流向Cgs。门电流的分流比：I1：I2 = Cds：Cgs，看看电流谁分的多？
当mos放电结束后，近似地认为门电流全部流过Cgs，因此：Vgs重新开始增长 。




注意数据手册中的表示方法
Ciss=Cgs+Cgd
Coss=Cds+Cgd
Crss=Cgd

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