汽车电源转换器|汽车电源转换器24v转220v( 二 )




图3显示了一个超低EMI且高效率的12 V至5 V/5 A转换器,其使用LT8636 Silent Switcher单片式降压稳压器在2 MHz开关频率下工作 。图4显示了测试演示电路在14 V输入和5 V、5 A输出时的传导和辐射EMI性能 。在前端,小电感和陶瓷电容有助于滤除传导噪声,而铁氧体磁珠和陶瓷电容有助于减少辐射噪声 。两个小陶瓷电容放在输入和接地引脚上,将热回路面积减至最小,同时分离热回路,帮助消除高频噪声 。


为改进EMI性能,电路设置为在展频模式下工作:SYNC/MODE = INTVCC 。使用三角频率调制来调节开关频率,调节范围为RT设置的值到比该值约高20%,即LT8636设为2 MHz时,在3 kHz速率下,频率将在2 MHz至2.4 MHz之间变化 。


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图3.展频模式下的超低EMI LT8636 5 V/5 A降压转换器,峰值电流为7 A,工作电压5.7 V至42 V 。


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图4.具有和没有展频模式的CISPR 25电磁辐射EMI 。


从传导EMI频谱可以明显看出,峰值谐波能量被分散开来,从而降低了任何特定频率的峰值幅度—由于扩频功能,噪声至少减少了20 dBV/m 。从辐射EMI频谱也可以明显看出,展频模式也可以减少辐射EMI 。该电路符合严苛的汽车级CISPR 25 Class 5辐射EMI要求,仅需在输入侧使用简单的EMI滤波器 。


整个负载范围内的高效率

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汽车应用中的电子器件数量只增不减,大多数器件的每次设计迭代都需要更多的电源电流 。有源负载电流如此高,重载效率和适当的热管理就成为首要考虑因素,可靠的运行取决于散热管理,不受控制产生热量可能会导致代价高昂的设计问题 。


系统设计人员也关注轻载效率,由于电池使用寿命主要取决于轻载或空载时的静态电流,因此轻载效率和重载效率一样重要 。必须在硅芯片和系统级设计中权衡满载效率、空载静态电流和轻载效率 。


为了在满载时达到高效率,应最小化FET(特别是底部FET)的RDS(ON),这看起来很简单 。但是,具有低RDS(ON)的晶体管的电容通常相对较高,开关和栅极驱动损耗随之增加,也会增加裸片尺寸和成本 。相反,LT8636单片式稳压器具有很低的MOSFET传导电阻,在满载条件下的效率很高 。LT8636在静止空气中的最大输出电流为5 A连续电流和7 A峰值电流,没有任何额外的散热器,从而简化了可靠的设计 。


为了提高轻载效率,在低纹波Burst Mode(突发工作模式)下工作的稳压器将输入电容充电至所需的输出电压,同时最小化输入静态电流和输出电压纹波 。在突发工作模式下,电流以短脉冲的形式传递到输出电容,然后进入相对较长的休眠期,在此期间,大多数控制(逻辑)电路关闭 。


为了提高轻载效率,可选用更大值的电感,因为在短脉冲期间可向输出传递更多能量,降压稳压器也可在每个脉冲之间的休眠模式下保持更长时间 。通过尽可能延长脉冲之间的时间,尽量减少每个短脉冲的开关损耗,单片式降压转换器静态电流可在单片式稳压器(如LT8636)中达到2.5 A 。而市场上的典型部件为几十甚至几百A 。


图5显示使用LT8636的汽车应用由12 V输入提供3.8 V/5 A输出的高效率解决方案 。电路在400 kHz下运行可达到高效率,并使用XAL7050-103 10 H电感 。在低至4 mA和高至5 A的负载下,可保持90%以上的效率 。峰值效率在1 A时为96% 。


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图5.采用XAL7050-103电感的12 V至3.8 V/5 A解决方案的效率(fSW = 400 kHz) 。


图6显示该解决方案1 A至5 A时的效率 。内部稳压器由5 V输出通过BIAS引脚供电,以尽可能降低功耗 。峰值效率达到95%;由13.5 V输入提供5 V输出的满载效率为92% 。对于5 V应用低至30 mA的负载,轻载效率保持在89%或以上 。转换器在2 MHz下运行,测试用电感为XEL6060-222,以优化相对紧凑型解决方案中的重载和轻载效率 。使用更大的电感,可将轻载效率进一步提高到90%以上 。反馈电阻分压器中的电流以负载电流形式出现在输出端时降至最低 。


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图6.使用XEL6060-222电感和LT8636的13.5 V至5 V和3.3 V解决方案的效率(fSW = 2 MHz) 。


图7显示该解决方案在4 A恒定负载和4 A脉冲负载(共8 A脉冲负载)以及10%占空比(2.5 ms)下的热性能 — 静止空气环境室温下,13.5 V输入 。即使在40 W脉冲功率和2 MHz开关频率下,LT8636外壳温度都保持低于40C,使得电路在没有风扇或散热器的情况下也能短时间内以高达8 A电流安全运行 。由于采用增强散热型封装技术,并且LT8636在高频率下具有高效率,因此采用3 mm4 mm LQFN封装可实现这一目标 。